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삼성전자 - 도시바 - 인텔 ‘10나노m 동맹’
삼성전자와 미국 인텔, 일본 도시바가 손잡고 차세대 반도체를 공동 개발하기로 했다고 니혼게이자이신문이 29일 보도했다. 반도체 시장의 글로벌 ‘빅3’가 경쟁관계를 접고 차세대 최첨
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‘3차 치킨게임’ 시작되면 진정한 강자 가려진다
"중앙선데이, 디시전메이커를 위한 신문" interactive_flash('http://ndnews.joins.com/news/interactive/swf/201010/100470
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‘3차 치킨게임’ 시작되면 진정한 강자 가려진다
삼성전자의 기흥·화성캠퍼스는 전 세계에서 가장 큰 반도체 생산단지다. 한꺼번에 2500장의 12인치 웨이퍼를 가공하는 화성 12라인에서 한 직원이 장비 가동 상황을 점검하고 있다
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포장 테크놀로지가 IT 미래 바꾼다 ② 한국, 고차원 기술로 승부수
하이닉스는 지난달 중국 장쑤성 우시에서 반도체 후공정 공장인 하이테크반도체 유한공사의 준공식 행사를 열었다. 1600여 명의 종업원이 일하게 될 이 회사에선 1Gb(기가비트) D램
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포장 테크놀로지가 IT 미래 바꾼다 ① 기업·학계·정부가 함께 뛴다
홍콩 응용과학기술연구원(ASTRI)의 한 연구원이 패키징된 반도체 칩을 검사하는 실험을 하고 있다. 실험 후에는 검사를 자동화하는 공정을 만든다는 계획이다. [ASTRI 제공] 요
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애널리스트가 본 주성엔지니어링 … 태양전지 분야서 큰 성장 예상
골리앗을 상대하는 다윗이라고나 할까. 주성엔지니어링이 꼭 그런 회사다. 경쟁 상대는 미국·일본·독일의 거대 업체들. 매출 규모는 주성의 수십 배 이상이다. 하지만 주성은 지금까지
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하이닉스, 20나노급 낸드플래시 개발 … 세계 두 번째 성공
하이닉스반도체가 20나노급 생산공정으로 64Gb(기가비트) 낸드플래시를 개발하는 데 성공했다고 9일 밝혔다. 이번 20나노급 기술 발표는 이달 초 인텔과 마이크론의 합작사인 IM플
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불붙은 반도체 나노 경쟁
해외 반도체 업체들이 미세 공정 제품을 잇따라 발표하며 삼성전자를 압박하고 있다. 반도체 업계에 따르면 미국 인텔과 마이크론의 합작사인 ‘IM플래시테크놀로지(IMFT)’는 이달 초
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삼성전자 “해외 경쟁업체로 기술 유출 가능성”
삼성전자의 반도체 생산공정에 관련된 핵심 기술이 장비업체를 통해 하이닉스반도체로 유출됐다는 수사 결과가 나오자 반도체 업계가 발칵 뒤집혔다. 삼성전자는 3일 검찰의 수사 결과에 대
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삼성 반도체 ‘40나노 벽’ 깼다
삼성전자 반도체사업부 직원들이 30나노급 공정기술로 만들어진 2Gb(기가비트) DDR3 D램과 웨이퍼를 들어 보이고 있다. [삼성전자 제공] 세계 최대 메모리 반도체 업체인 삼성전
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KTX-Ⅱ ‘총알’을 탄다
과학기술이 삶의 양식까지 바꿔 놓는 세상이다. 컴퓨터 기술의 진보, 유전자 연구를 통한 생명에 대한 새로운 인식은 지난 반세기를 과학기술의 시대로 만들었다. 하루가 무섭게 발전하는
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[기업 인사이드] 현대모비스-LG화학 합작회사 설립 외
◇현대모비스와 LG화학이 친환경 차량에 장착될 핵심 부품인 '배터리팩'을 공동 개발하고 생산하는 합작회사를 설립하기로 했다. 두 회사는 2일 서울 메리어트호텔에서 친환경 자동차용
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Special Knowledge 반도체
삼성전자 기흥 반도체공장에서 한 직원이 메모리 반도체 제조에 사용할 포토마스크를 점검하고 있다. [삼성전자 제공]미국의 벨연구소가 1948년 ‘20세기를 뒤흔들 만한 제품’이라고
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반도체 핵심 장비 국산화 ‘산·학·연의 힘’
인기 휴대전화기인 햅틱폰은 기능이 복잡한 만큼 부품이 많이 들어가 일반 휴대전화보다 크다. 만일 휴대전화 안에 들어가는 부품(반도체 칩)을 작게 만들 수 있다면 제품의 크기도 줄어
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[사설] 위기를 기회로 바꾸는 기술혁신의 개가
하이닉스가 회로폭 40나노급 반도체 D램을 생산하는 기술을 개발했다고 발표했다. 이번에 개발된 초미세 공정에서의 생산기술은 속도가 빠른 DDR3 D램 생산에 세계 최초로 적용된 것
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하이닉스 40나노 DDR3 D램 세계 첫 개발
하이닉스가 회로폭 40나노급 초미세 공정에서 DDR3 D램을 생산하는 기술을 처음 개발했다. 최근 DDR2 D램 개발로 첫 40나노 반도체 시대를 연 삼성전자에 이어 하이닉스도 이
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삼성 ‘40나노 D램’ 첫 개발 … 2년 또 앞섰다
삼성전자가 회로 폭 40나노 공정으로 D램을 만드는 기술을 처음 개발했다. 2000년 150나노 기술을 내놓은 이후 10년간 8차례 ‘세계 최초’ 기록을 이어 갔다. 이 회사는
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삼성전자, 50나노 2기가 D램 최초 양산
삼성전자가 경쟁사보다 6개월~1년 앞서 작고 빠른 D램 양산에 들어간다. 이는 메모리 시장이 DDR2에서 DDR3로 넘어가는 과정에서 주도권을 잡은 셈이라는 평가를 받고 있다. 삼
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반도체 뭉쳤다 … ‘최강’삼성·인텔·TSMC, 차세대 웨이퍼 개발
삼성전자가 큰 웨이퍼를 채용한 차세대 반도체 생산라인을 만들기 위해 미국 인텔, 대만 TSMC와 손잡았다. 삼성전자는 이들 회사와 협력해 2012년까지 450㎜(18인치) 웨이퍼를
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D램 1기가로 세대교체
1기가비트(Gb=1024Mb) D램 반도체 값이 512메가비트(Mb) 두 개 값보다 싸지는 ‘비트크로스(bit cross)’ 현상이 나타났다. 시장 주력 제품이 1Gb로 바뀐다는
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“태양광이 新성장엔진” 기업들 ‘솔라 러시’
경기도 분당 복합화력발전소에 설치된 솔라트리. [신동연 기자] 관련기사 햇빛 사랑은 위험한 열애? #장면1“태양광요? 혹시 태양열 말하는 겁니까?” 최근 인천 남동공단에 태양전지
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삼성전자 30나노 64기가 낸드플래시 개발
삼성전자가 23일 발표한 30나노 64기가 낸드플래시 제품은 설비투자 규모를 줄이면서 미세화 공정을 도입할 수 있는 길을 열었다는 점에서 획기적이다. 삼성전자는 이 기술을 20나
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하이닉스 부활시킨 ‘삼성맨’
최진석 부사장 인물정보 ‘(이건희 회장은) 최근 수원에서 열린 선진제품 비교전시 행사장에서 극히 이례적으로 흥분을 감추지 않았고 반도체 부문을 강하게 질책한 것으로 전해졌다….
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이건희 회장, 왜 격노했나
이건희 삼성 회장은 자신의 감정을 거의 드러내지 않는 기업인으로 유명하다. 하지만 최근 수원에서 열린 선진제품 비교전시 행사장에서 그는 극히 이례적으로 흥분을 감추지 않았고 반도
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