반도체 초미세 가공기술 개발

현대전자는 반도체 회로선폭 0.12미크론(1미크론은 1백만분의 1미터)의 초미세가공기술을 적용한 512메가 DDR(더블 데이타 레이트) SD램의 상용제품 개발에 성공했다고 10일 발표했다.

0.12미크론 가공기술은 머리카락 한 올에 9백여개의 가는 선을 그을 수 있는 초미세 기술이다.

국내에서 그동안 발표된 초미세 가공기술은 지난해말 삼성전자가 개발한 512메가 D램의 0.13미크론 기술이 가장 미세한 회로선폭을 적용한 것이었다.

현대전자 메모리 연구소 윤규한 이사는 "이 제품은 1초에 6백66만개의 문자를 전송할 수 있는 3백33㎒의 초고속 처리속도를 구현하고 있어 국제 반도체협의기구(JEDEC)가 DDR SD램 제품의 신규격으로 표준화 하려는 초고속 데이터 처리 성능을 충족시키고 있다" 고 설명했다.

현대전자는 이 제품을 올 상반기 청주 공장에서 양산에 들어가 IBM.HP 등 대형 시스템 업체에 제공할 예정이며, 하반기에는 전 공장에서 본격적인 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.

512메가 D램 등 차세대 고집적 반도체시장이 내년부터 시장이 본격 형성될 전망이며 2002년 25억달러, 2004년 4백50억달러 규모로 예상되고 있다.