현대전자, 초저전압 플래시 메모리 반도체 출시

중앙일보

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현대전자는 D램이나 S램과는 달리 전원이 끊어져도 정보가 기억되는 장점을 갖고 있는 플래시 메모리 반도체 3종의 샘플을 출시했다고 11일 밝혔다.

현대전자가 이번에 출시한 플래시 메모리 반도체는 3V용 16메가 제품 1종류와 2V,3V 겸용 듀얼 뱅크형 16메가 제품 2종류 등으로 휴대폰 단말기와 PC의 ROM 바이오스, 워크스테이션, 네트워크 장비, 셋톱박스 등의 프로그램을 저장하는데 널리 쓰이는 NOR형 제품이다.

이 제품은 회로선폭 0.35㎛(1㎛는 100만분의 1m)급 공정기술을 적용했고 저전압인 2V에서도 90㎱(1㎱는 10억분의 1초)의 고속동작이 가능하다.

또 타제품에 비해 메모리 셀의 크기를 10∼20% 가량 줄였다.
현대전자는 내달중 샘플 판매를 시작하고 3.4분기부터는 본격 양산에 돌입, 올해중 3천만달러, 내년에는 1억3천만달러의 매출을 올릴 계획이며 이미 지멘스와 노키아, 에릭슨사 등으로부터 주문을 받아놓고 있다고 설명했다.

현대전자는 이와함께 2.4분기중 0.25㎛급 32메가 신제품도 개발을 완료할 예정이라고 덧붙였다.
(서울=연합뉴스) 박세용기자

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