현대전자는 초고속 데이터 처리가 가능한 4세대 64메가 DDR 싱크로너스 D램 샘플을 처음 출시했다고 15일 밝혔다.
회로선폭 0.22㎛급의 공정 기술이 적용된 이번 D램은 286과 333, 366 ㎒ 등의 속도로 데이터 처리가 가능, 기존의 200㎒대 싱크로너스 D램과 비교해 83% 이상 속도가 빨라진 제품이라고 현대전자는 말했다.
현대전자는 64메가 DDR 싱크로너스 D램이 그래픽용으로 주로 사용되고 있으며 네트워크 등 다양한 응용 분야에도 적용이 가능해 향후 차세대 메모리 반도체로 채택될 것이라고 전망했다.
333㎒ 64메가 DDR 싱크로너스 D램 샘플은 현재 개당 21달러 선에서 판매되며 양산에 들어가는 올해 2.4분기에는 15.5 달러에 판매될 것으로 현대전자는 예상하고 있다.
DDR 싱크로너스 D램은 명령이 들어가거나 데이터가 나올 때 기준이 되는 신호한번에 데이터를 2번 전송할 수 있는 반도체로 신호 한번에 데이터를 한번 보내거나 받는 다른 싱크로너스 D램보다 성능이 우수하다.
