삼성전자는 차세대 초고속 메모리 반도체인 2백88M 다이렉트 램버스 D램의 개발에 성공, 세계 최초로 양산에 나선다고 3일 발표했다.
2백88M 램버스 D램은 머리카락 두께(1백㎛) 의 약 6백분의 1에 해당하는 회로선 폭인 0.17미크론(1미크론은 1백만분의 1) 의 초미세 공정을 적용, 램버스 D램의 최고 집적도를 실현한 것으로 기존의 싱크로너스 D램을 대체할 것으로 전망된다.
삼성전자측은 2백88M 램버스 D램이 1초에 2백자 원고지 25만장 분량의 데이터를 전송할 수 있는 초고속 메모리 반도체로 기존 싱크로너스 D램보다 처리속도가 3~5배 정도 빠르다고 설명했다.
램버스 D램은 적은 수의 단품을 사용해 높은 성능을 유지해야 하는 휴대용 정보통신기기나 게임기 등에 점차 확대 적용되고 있으며 고성능 PC와 워크스테이션.서버 등에 주로 사용될 것으로 보인다고 회사측은 덧붙였다.
삼성전자는 램버스 D램이 올해 30억달러 규모의 시장을 형성하고 2001년 1백35억달러, 2002년에는 D램시장의 50%를 차지할 것으로 예상했다. 삼성전자는 이달부터 월 2백만개의 램버스 D램을 생산할 계획이다.
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