현대전자 2백56메가 싱크로너스 D램 내년부터 상용화

현대전자가 반도체 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 이용해 2세대 2백56메가 싱크로너스 D램(사진)의 상용제품을 개발했다.

이 제품은 2백자 원고지 8만4천장에 달하는 각종 자료를 저장할 수 있는 초고성능 메모리 반도체로 상용제품으론 세계적인 수준으로 평가된다.

특히 초미세 공정기술로 1세대 제품에 비해 회로선폭이 줄어 전체 칩 크기는 기존 제품보다 40% 정도 작아지고, 웨이퍼 한장당 만들 수 있는 칩의 개수(Net Die)는 70% 늘어난 게 강점이다.

또 현재 양산 중인 1세대 2백56메가 싱크로너스 D램 공정의 대부분을 그대로 이용할 수 있어 기존 생산라인에 대한 추가투자가 필요없다.

현대측은 "내년 1분기부터 양산에 들어가 세계 수요의 20% 이상을 공급할 계획" 이라고 말했다.

현대는 또 0.15미크론 초미세 공정기술을 현재 주력제품인 64메가 및 1백28메가D램에도 적용시킬 계획이다.