현대전자, 0.15㎛ 공정 256메가D램 개발

현대전자는 세계 처음으로 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 적용, 데이터 처리속도 166㎒의 초고속 2세대 256메가 싱크로너스 D램 상용 제품을 개발했다고 8일 발표했다.

2세대 256메가 싱크로너스 D램은 기존 1세대 제품에 비해 칩 크기가 40% 정도 작고 웨이퍼 한장당 칩의 개수(Net Die)를 70% 늘린 제품이다.

이 제품은 양산에 적용중인 1세대 256메가 싱크로너스 D램 공정의 상당 부분을 그대로 채택하고 있어 기존 생산라인에 대한 추가 투자 없이 양산에 적용할 수 있다고 이 회사는 설명했다.

2세대 256메가 싱크로너스 D램은 2백자 원고지 8만4천장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있는 용량으로 3.3V의 외부전압과 데이터 처리속도 166㎒로현재 시판중인 인텔사의 모든 중앙처리장치(CPU)를 지원한다.

현대전자는 이번 2세대 256메가 싱크로너스 D램 개발에 자체 기술로 개발한 IMC(Inner MPS cylinder)기술을 적용했는데 이 기술은 I 자형을 기본으로 한 집적구조에 홀을 형성, 메모리의 구성요소인 셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 줄이고 기억 용량을 결정하는 전하저장 유효면적을 증대시켜 칩에 대한 신뢰성을 크게 향상시킨 점이 특징이라고 설명했다.

현대전자는 내년 1.4분기부터 2세대 256메가 싱크로너스 D램의 양산을 개시, 세계 수요의 20% 이상을 생산, 판매할 계획이다.

현대전자는 0.15미크론 초미세 공정기술을 현재 주력 제품인 64메가 및 128메가 D램에도 적용, 내년중에 양산할 예정이며 이를 통해 메모리 반도체 제품의 생산성 및 원가경쟁력을 크게 높일 수 있을 것이라고 밝혔다. [서울=연합]