<중앙특허기술상>7월賞-삼성전자 선임연구원 전준영

중앙일보

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종합 33면

『너무나 단순했던 아이디어였고,그래서 저또한 처음엔 이것이 특허가 되리라 생각지 못했습니다.끝까지 관심을 갖고 격려.조언해준 연구소의 선후배 동료들의 도움이 없었다면 이렇게 과분한 상은 받지 못했을 겁니다.』 반도체의 내부전원전압발생회로를 개발,국내 반도체의 품질을 대폭 향상시킨 공로로 중앙특허기술상 7월 月別賞수상자로 선정된 삼성전자 全峻永선임연구원(32.반도체사업부 메모리설계팀)의 수상소감이다.
반도체내부의 온도가 올라갈수록 반도체의 동작속도가 느려지는 단점을 획기적으로 개선하는 아이디어를 처음 내놓은 그였지만,그는 공동수상자로 선정된 陳大濟삼성반도체 메모리사업부 전무(해외출장중)를 비롯한 주위에 공을 돌린다.
『수압이 세면 물살이 빨라지는 것처럼 전압이 높으면 전자의 속도가 빨라집니다.그러므로 온도가 높아지는만큼 전압을 높여주면문제는 당연히 해결되는 것이죠.』 전기의 원리를 조금이라도 이해한다면 누구나 생각이 미치는 것이겠지만 수만분의 1㎜를 놓고경쟁을 벌여온 「반도체사람들」에게는 어쩌면 이것이 눈에 띄기 어려운 일종의 「숲」이었던 셈이다.
『아이디어 이후 회로를 짜는 작업은 오히려 쉬운 편이었습니다.美國.日本등 각국에 특허등록을 하는 것도 순조롭게 이뤄졌고요.』 그는 이번 성공으로 삼성반도체의 국제경쟁력이 높아졌음에도불구,외국의 경쟁사들이 이만큼 효율적이지는 못해도 나름대로 특허를 빠져나갈 수 있는 방법들을 개발해 로열티를 받지 못하게 된것이 다소 아쉽다고 밝혔다.
성균관대 전자공학과 졸업후 삼성전자에 입사,특별히 조직된 「반도체설계팀」요원으로 16메가D램의 개발에도 참여한 그는 이미20건의 특허를 출원해 놓고 있을 정도의 아이디어맨이다.
〈浚〉

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