하이닉스반도체는 차세대 이동통신 단말기용 대용량 S램을 개발, 전세계 이동통신 단말기업체에 상용샘플을 공급하기 시작했다고 29일 밝혔다.
하이닉스가 개발한 제품은 일반 S램 구조와는 달리 1개의 트랜지스터와 1개의커패시터(Capacitor.축전기)로 구성되는 D램 셀(Cell) 구조를 채용한 `수도(Pseudo)S램' 16메가와 32메가 제품으로 회로선폭 0.18㎛(1㎛=100만분의 1ｍ)의 미세회로 공정기술을 적용했다.
또 기존 이동통신 단말기용 S램과 호환될 뿐만 아니라 업계 최초로 기존 범용저전력 S램과도 완벽한 호환성을 갖도록 설계돼 있다.
이와함께 동작전압 2.5V, 3.0V, 2.3∼3.6V의 다양한 제품군을 갖추고 있으며 70ns(나노 세컨드.10억분의 1초)와 85ns의 고속으로 데이터 처리가 가능해 고속화와저전력화를 요구하는 차세대 이동통신단말기에 적합하다고 하이닉스는 설명했다.
제품크기는 업계에서 가장 작은 7㎜ x 8㎜의 48볼 FBGA 패키지 기술을 적용, 실장면적을 최소화해 시장의 소형화 요구에 부응했다고 하이닉스는 밝혔다.
하이닉스반도체는 내년 1.4분기부터 본격 양산에 들어가 내년 한해 1억달러의 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다.
(서울=연합뉴스) 노효동기자
